Visió general del producte
Nice-Tech ha llançat tres models PECVD-Depomerits PE 100, PE 200 i PE 300-i junts formen una matriu de productes que cobreix tots els escenaris clau: des de la investigació de laboratori fins a petites-execucions per lots, fins a la producció en massa a gran escala.
La millor part d'aquests tres? Comparteixen les mateixes capacitats-bàsiques sòlides, de manera que no patireu maldecaps de compatibilitat. Tant si treballeu amb substrats de 6-polzades, 8-polzades o 12 polzades, ells ho gestionen. I pel que fa al material, també són versàtils: Si, SiC, GaAs, GaN, fins i tot hòsties de vidre, tots funcionen perfectament.
La temperatura del procés és un altre punt fort: de 75 a 420 graus , amb un control constant, el que significa que s'enfronten tant als treballs habituals de PECVD com als processos complicats a baixa-temperatura que exigeixen una precisió addicional. No més canviar entre diferents sistemes per a tasques especials.
Però no són-una mida-per a tots-. Cada model s'ajusta per adaptar-se a necessitats específiques-alguns per a treballs d'R+D complexos i de baix-volum, altres per a línies de producció d'alta-capacitat. Per tant, tant si esteu començant amb experiments-en fase inicial com si feu una fàbrica bulliciosa, la sèrie C180 s'adapta exactament a vosaltres.
Avantatges
1. Adaptabilitat a l'escenari:-cobertura completa d'enllaços
PE 100 (Recerca Científica)
Disseny compacte, estalvia espai al sòl, sense càmeres auxiliars complexes. Permet una implementació ràpida del laboratori, s'adapta a les necessitats d'R+D de -lots petits, de diverses-varietats i redueix les inversions en espai i costos.
PE 200 (producció per lots petits-)
Equilibra capacitat i mida de les pimes. Admet el preprocessament i l'alineació bàsics del substrat, satisfent les exigències de "baixa entrada i alta estabilitat del procés".
PE 300 (producció a gran-escala)
Configuració{0}}de producció en massa completa. Augmenta l'eficiència de transferència del substrat i el rendiment de refrigeració, maximitza la producció. Admet de manera estable processos complexos de cicle llarg de-per a necessitats d'alta-capacitat i alta-estabilitat.
2. Capacitats del procés bàsic: baixa temperatura, baix dany, alta flexibilitat
Procés de-danys baixos
Interfície conductora SHD personalitzada + font d'alimentació RF AE de 13,56 MHz (funció HALO). Sortida mínima de 15 W, densitat de potència de 0,016 W/cm²-evita danys al dispositiu, ideal per a semiconductors sensibles.
Sintonització de l'estrès
RF de doble-freqüència AE (13,56 MHz + 400KHz). El procés SiN basat en SiH4-assoleix un rang d'estrès +500~-1000MPa, satisfent les necessitats específiques d'estrès de pel·lícula del dispositiu.
Alta uniformitat i compatibilitat
L'etapa mòbil ajustable garanteix la uniformitat del gruix de la pel·lícula. El panell de gas IGS (10x Gaslines + TEOS) admet SiO/SiN basat en SiH4- i USG basat en TEOS en una cambra, reduint el temps de commutació.
Aplicacions
- Recerca científica (dirigida pel PE 100):Aquest és per a universitats, instituts de recerca i empreses centrades en R+D-. Tant si esteu fent estudis bàsics de PECVD, com si esteu provant les propietats de pel·lícules de nous materials (com ara els semiconductors III-V) o verificant les estructures de dispositius MEMS-, ofereix als equips de recerca una plataforma de laboratori estable i fiable.
- Fabricació a mitja i petita-escala (dirigida pel PE 200):Perfecte per a petites i mitjanes empreses de semiconductors. Gestiona petits-lots de dispositius d'alimentació i dispositius fotònics passius, a més de processos com BPSG i FSG per a filtres TC-SAW. El punt dolç? Equilibra la capacitat adequada amb l'estalvi de costos.
- Fabricació a gran-escala (PE 300-led):Creat per a grans jugadors-com els principals fabricants d'IC, mòduls fotovoltaics i MEMS avançats. Potencia la producció massiva de components clau: TSV Liners, barreres de difusió de Cu i pel·lícules PV -Si. I també depèn de les exigències de pel·lícules d'alta-estabilitat als camps AP, que cobreixen des de dispositius bàsics fins a-fabricació d'avantguarda.
Paràmetres
|
Categoria |
Paràmetre |
Detalls |
|
Compatibilitat de substrats |
Mida de l'hòstia |
6-polzades / 8 polzades / 12 polzades (compatible amb hòsties de gruix estàndard i gruixuts d'unió) |
|
Material del substrat |
Si, SiC, GaAs, GaN, hòstia de vidre |
|
|
Control de temperatura |
Interval de temperatura del procés |
75 graus ~ 420 graus (cobreix processos convencionals i de baixa-temperatura, compleix els requisits de compatibilitat amb processos SEMI) |
|
En -Uniformitat de temperatura de l'oblea |
< 3℃ (for 6-inch/8-inch wafers, based on 1-Piece AlN-coated Platen) |
|
|
Sistema de buit i gas |
Configuració del panell de gas |
Panell de gas IGS, suporta fins a 10 × Gaslines + TEOS |
|
Compatibilitat amb gas de procés |
SiH₄, N₂O, NH₃, N₂, H₂, B₂H₆, PH₃, SiF₄, O₂, He, Ar, NF₃ |
|
|
Nivell de buit |
Pressió base Menor o igual a 5×10⁻⁶ Torr; Interval de pressió de procés: 1 ~ 10 Torr (referència a l'estàndard SEMI E113) |
|
|
Sistema de radiofreqüència (RF). |
Tipus d'alimentació RF |
AE RFG de -freqüència dual (HF + LF), compatible amb els criteris de rendiment SEMI E113 |
|
Freqüència i rang de potència |
HF: 13,56 MHz (5~3000W, admet la funció HALO); LF: 400 KHz (300~500 KHz ajustable, 15~1250W) |
|
|
Components clau |
Cap de dutxa (SHD) |
350 mmØ de cobertura total; interfície conductora especial; compatible amb els requisits de diversos-procés |
|
Platina |
1-peça AlN-revestida; Espai SHD-Platen ajustable (6 ~ 20 mm) per a l'optimització del procés |
Preguntes freqüents
P: Quines mides i materials de substrat són compatibles amb la sèrie PECVD?
R: Tots els models (PE 100/PE 200/PE 300) admeten hòsties de 6-polzades, 8 polzades i 12 polzades (incloses hòsties de gruix estàndard i hòsties gruixudes d'unió), compatibles amb Si, SiC, GaAs, GaN i hòsties de vidre.
P: Quin és el rang de temperatura del procés d'aquests dispositius?
R: La temperatura abasta 75 graus ~ 420 graus, cobrint tant els requisits del procés PECVD de baixa-temperatura com els convencionals.
P: En què es diferencien els tres models en els escenaris d'aplicació?
R: PE 100 (disseny compacte) és per a R+D; PE 200 (cambres de 3 PM) s'adapta a la producció de lots petits-; El PE 300 (cambres de 4 PM + Loadlock dual) està optimitzat per a la producció massiva a gran-escala.
P: Quins avantatges bàsics del procés ofereixen els dispositius?
R: Els punts forts clau inclouen un dany baix-(sortida de RF mínima. 15W), ajustabilitat de l'estrès (+500~{-1000 MPa per a SiN basat en SiH₄) i una alta uniformitat de la pel·lícula (<3% 1σ for 8-inch wafers).
P: Quines solucions de neteja hi ha disponibles per a les cambres?
A: Optional MKS Paragon RPS system with NF₃ gas (dissociation rate >95%), netejant SiO basat en SiH₄-a ~4,2 μm/min; També s'admet la neteja in situ tradicional de CF₄-basada en-.
P: Quantes línies de gas admeten els dispositius?
R: Equipat amb un panell de gas IGS, que admet fins a 10 gaslines + TEOS per a una compatibilitat amb diversos-procés.
Etiquetes populars: equips pecvd, fabricants d'equips pecvd de la Xina, proveïdors
