Segons els seus diferents usos, es poden dividir en els utilitzats per a la producció de xips, embalatge i fabricació de LED.
Segons les diferents fonts de llum, es poden dividir en fonts de llum ultraviolada (UV), fonts de llum ultraviolada profunda (DUV) i fonts de llum ultraviolada extrema (EUV). La longitud d'ona de la font de llum afecta el procés de la màquina de litografia.
La màquina de litografia ultraviolada extrema ha adoptat un nou enfocament per proporcionar encara més fonts de llum de longitud d'ona més curta. El mètode principal que s'utilitza actualment és irradiar un làser excimer sobre un generador de gotes d'estany, excitant fotons de 13,5 nm com a font de llum per a la màquina de litografia. ASML és actualment l'únic fabricant al món capaç de dissenyar i fabricar equips de litografia EUV.
Segons els diferents mètodes operatius, es pot dividir en litografia de contacte, litografia d'escriptura directa i litografia de projecció.
impressió de contactes
Impressió de contacte
La placa de la màscara està en contacte directe amb la capa de fotoresist. La resolució del patró exposat és comparable a la del patró de la placa de màscara i l'equip és senzill. Segons el mètode d'aplicació de la força, el contacte es pot dividir en contacte suau, contacte dur i contacte al buit.
1a. El contacte suau es refereix al procés d'unir un substrat a una safata (similar al mètode de col·locació del substrat d'un escampador de cola), amb una màscara que cobreix el substrat;
1b. El contacte dur és el procés d'empènyer el substrat cap amunt sota una pressió (nitrogen) per entrar en contacte amb la placa de la màscara;
1c. El contacte al buit és el procés d'extracció d'aire entre la placa de la màscara i el substrat per garantir una millor adherència.
Característiques: placa de màscara de contaminació fotoresist; Les plaques de màscara són propenses a danyar-se i tenen una vida útil curta (només de 5 a 25 usos); Fàcil d'acumular defectes.
Litografia de proximitat
Impressió de proximitat
Hi ha un petit buit (aproximadament 2,5-25 μ m) entre la placa de màscara i la capa inferior del substrat fotoresistent. Pot evitar amb eficàcia el dany a la placa de la màscara causada pel contacte directe amb el fotoresistent, fent que la màscara i el substrat fotoresistent siguin duradors per al seu ús; La màscara té una llarga vida útil (que es pot augmentar en més de 10 vegades) i menys defectes gràfics. La litografia de proximitat s'utilitza àmpliament en els processos de fotolitografia moderns.
