Mida mínima de la funció
Dimensió crítica mínima (CD):
La mida mínima de la característica, també coneguda com a mida de mig pas, és un dels paràmetres més importants per mesurar el rendiment de les màquines de litografia.
Entre ells, hi ha una constant que varia en diferents esquemes de litografia, on λ és la longitud d'ona de la font de llum d'entrada i NA és l'obertura numèrica del sistema òptic de la màquina de litografia. Per a constants, actualment la màquina de litografia DUV d'ASML als Països Baixos pot assolir un màxim d'uns 0,25, mentre que l'EUV encara està al voltant de 0,35. Com més petita sigui la longitud d'ona de la font de llum d'entrada, més petit serà el procés de fotolitografia real que es pot realitzar. Per a l'obertura numèrica NA, el límit superior d'aquest valor és generalment 1,0 per als esquemes DUV no humectants i al voltant d'1,35 per als esquemes DUV humectants. En comparació amb la litografia sense immersió, les màquines de litografia per immersió utilitzen líquid addicional per a la refracció durant la litografia, generalment aigua pura amb un índex de refracció d'aproximadament 1,33. Aquesta és també la raó per la qual les màquines de litografia d'immersió tenen un NA més gran.
Precisió de gravat
Precisió de la superposició: la precisió d'alineació entre els patrons de màscara i hòstia.
El significat bàsic fa referència a la precisió d'alineació dels patrons entre els dos processos de fotolitografia. Si la desviació d'alineació és massa gran, afectarà directament el rendiment del producte.
Tolerància a l'exposició
Latitud d'exposició: la latitud d'exposició, també coneguda com a marge d'exposició, és un dels paràmetres importants de la finestra del procés. Els sistemes d'exposició òptica poden formar un rang d'energia d'exposició que compleixi els requisits de disseny del disseny. Normalment es defineix pel rang de selecció d'energia d'exposició dins del ± 10% del canvi en el valor de CD detectat pel resultat de l'exposició. Si l'amplada de línia del patró exposat canvia relativament poc quan el fotoresistent es desvia de la dosi d'exposició òptima, indica que el fotoresistent té una gran tolerància a l'exposició. Com més gran és la tolerància a l'exposició, més gran és la tolerància al desenvolupament.
La tolerància a l'exposició i el contrast de la imatge de projecció estan estretament relacionats. Si la mida de la característica de la imatge projectada té un contrast d'imatge deficient, serà massa sensible als canvis de dosi
