Les hòsties es divideixen en hòsties nues i hòsties amb patrons, tal com es mostra a la figura 6. El punt de partida per considerar els tipus de defectes de dos tipus d'hòsties és una mica diferent. Hi ha molts tipus de defectes a la superfície de les hòsties, que poden ser causats per processos o defectes en el propi material. L'ús de diferents mètodes de detecció de defectes pot donar lloc a diferents classificacions de defectes. Tenint en compte les propietats físiques dels defectes i l'especificitat dels algorismes de detecció de defectes posteriors, els defectes es poden classificar simplement en redundàncies superficials (partícules, contaminants, etc.), defectes de cristall (defectes de línia de lliscament, errors d'apilament), rascades i defectes de patrons (per a hòsties de patrons).
Redundància superficial
Hi ha diversos tipus de materials redundants a la superfície de les hòsties, que van des de partícules minúscules fins a desenes de nanòmetres, fins a pols de centenars de micròmetres i residus superficials deixats pel procés anterior. Les partícules es poden introduir mitjançant processos com ara gravat, polit, neteja, etc. Els defectes de redundància provenen principalment de la pols a la superfície de l'hòstia durant la producció i el processament, la puresa de l'aire que no compleix els estàndards i els reactius químics durant el processament. Aquestes partícules poden bloquejar la llum durant la fotolitografia, provocant defectes en l'estructura del circuit integrat. Els contaminants poden adherir-se a la superfície de l'hòstia, donant lloc a patrons incomplets i afectant les característiques elèctriques del xip, tal com es mostra a la figura 7.
Defecte de cristall
Els defectes de la línia de lliscament també són un tipus comú de defecte causat per un escalfament desigual durant el creixement del cristall. Normalment formen petites línies horitzontals a la vora exterior de l'hòstia. A causa de la mida relativament gran de la línia de lliscament, es pot identificar mitjançant l'observació manual.
Les falles d'apilament també són defectes que es poden trobar a les capes epitaxials, generalment a causa de la interrupció de la seqüència d'apilament normal dels plans densament empaquetats a l'estructura cristal·lina, amb mides típicament en el rang del micròmetre.
Danys mecànics
Els danys mecànics generalment es refereixen a esgarrapades a la superfície d'una hòstia causades pel poliment o el tall, generalment causades per un polit mecànic químic (CMP), formant una forma d'arc, o pot ser una distribució puntual no contínua, tal com es mostra a la figura 10. Aquest tipus de dany varia de mida i sol afectar la connectivitat del circuit de l'hòstia, convertint-lo en un defecte greu. Aquest defecte es pot corregir, però pot ser degut a un funcionament mecànic inadequat.
