La neteja d'hòsties es refereix al procés d'utilitzar mètodes químics o físics per eliminar contaminants i òxids de la superfície d'una hòstia durant la fabricació de circuits integrats, per tal de complir els requisits de neteja de la superfície de l'hòstia. El principi de neteja de les hòsties és eliminar diverses impureses sense danyar l'hòstia.
Hi ha quatre mecanismes principals per eliminar les partícules: la dissolució, la descomposició oxidativa, la repulsió elèctrica entre les partícules i les superfícies de les hòsties de silici i una lleugera corrosió de les superfícies de les hòsties de silici.
Per a l'eliminació de partícules metàl·liques, normalment s'utilitza la solució SC-2 o la solució HPM per reduir el contingut de metall a la superfície de l'hòstia. La solució SC-2 experimenta una cristal·lització, que pot augmentar el nombre de partícules a la superfície de l'hòstia després de la neteja. Per tant, es pot utilitzar HF en lloc d'HCL, o es pot utilitzar O3 combinat amb HF en lloc de la solució SC-2 per eliminar eficaçment les partícules metàl·liques.
Per als contaminants orgànics, la solució SPM o la tecnologia de neteja en sec UV/ozó s'acostuma a utilitzar per eliminar-les.
Després de la neteja humida, l'hòstia s'ha d'assecar a fons per assegurar-se que no hi hagi marques d'aigua a la superfície abans d'entrar al següent procés. Els tres modes d'assecat més comuns disponibles actualment són l'assecat rotatiu, l'assecat Marangoni i l'assecat per atomització d'isopropanol en calent.
