El procés de fabricació d'hòsties de xips CMOS comuns de 200 mm.
La deposició química de vapor és una tècnica utilitzada en la fabricació de dispositius microelectrònics per dipositar una pel·lícula fina, que pot ser un material dielèctric o un semiconductor. La tecnologia de deposició física de vapor utilitza gasos inerts per impactar els objectius de pols i dipositar el material desitjat a la superfície de l'hòstia. L'alta temperatura i l'ambient de buit dins de la cambra de reacció del procés poden fer que aquests àtoms metàl·lics formin grans, que després es poden modelar i gravar per obtenir el circuit conductor desitjat.
El desenvolupament òptic és el procés de conversió de gràfics d'una fotomàscara a una pel·lícula fina. El desenvolupament òptic generalment inclou passos com el recobriment de fotoresistència, la cocció, l'alineació de la llum, l'exposició i el desenvolupament. El gravat en sec és el mètode de gravat més utilitzat, que utilitza gas com a mitjà de gravat principal i plasma per impulsar la reacció. El gravat és l'eliminació d'un material no desitjat d'una superfície.
El poliment químic mecànic (CMP) és una tecnologia que combina el poliment mecànic i el poliment químic basat en solucions àcid-base, que pot fer que la superfície de l'hòstia sigui relativament plana i facilitar els processos posteriors. Durant la mòlta, el purí de mòlta es troba entre l'hòstia i el coixinet de mòlta. Els factors que afecten el CMP inclouen la pressió del capçal de mòlta i la planitud de l'hòstia, la velocitat de rotació, la composició química de la pasta de mòlta, etc.
